Robert H. Dennard，Dram Inventor和Scaling Pioneer，接受半导体行业的最高荣誉
2019年6月28日星期五，上午9:45经过半导体工业协会
IBM Seeritus的IBM CELLINES，将于11月7日将接受2019年罗伯特N.Noyce奖。7
WASHINGTON—June 28, 2019—The Semiconductor Industry Association (SIA) today announced Dr. Robert H. Dennard, pioneer of transformational breakthroughs in semiconductor technology and IBM Fellow Emeritus, has been named the 2019 recipient of SIA’s highest honor, the Robert N. Noyce Award. SIA presents the Noyce Award annually in recognition of a leader who has made outstanding contributions to the semiconductor industry in technology or public policy. Dennard will accept the award at theSIA奖晚餐2019年11月7日星期四在圣何塞。SIA代表美国半导体制造，设计和研究领导。
“博士Dennard是一个半导体行业图标，发明内存技术支持每个计算机，智能手机，平板电脑和现代社会中无处不在的电子设备，“Sia总裁兼首席执行官John Neuffer说。“鲍勃还开创了较稳定的半导体行业的缩放物理，以较低的成本生产指数更先进的产品。鲍勃的贡献彻底改变了我们的行业，改变了现代技术。代表SIA董事会，我很高兴地宣布鲍勃作为2019年罗伯特N.Noyce奖获得者，以表彰他的杰出成就。“
Dennard于1966年发明了动态随机存取存储器（DRAM）单元。丹尼纳的发明的最终影响是单个芯片在当今智能手机中的RAM可以容纳160亿位或16千兆位。他于1968年被授予他的单晶电机DRAM专利。到20世纪70年代中期，DRAM几乎所有计算机都标准。对于基本的单晶电阻动态存储器电池，Dennard于1988年颁发了国家技术奖章。
Dennard还领导了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）缩放规则的发展。他和他的伙伴是首次认识到缩小MOSFET的巨大潜力之一，表明集成电路将更快地执行较低的能量消耗作为晶体管，电线和电路电压。该物业在多十年中解脱了Moore的法律和微电子的演变。
Over his career, Dennard’s work has resulted in 75 patents, more than 100 published papers, and numerous awards, including the Kyoto Prize (2013), the Carnegie Mellon University Honorary Doctor of Science and Technology (2010), the IEEE Medal of Honor (2009), the IEEE Edison Medal (2001) and the National Academy of Engineering Charles Stark Draper Prize (2009). He was inducted into the National Inventors Hall of Fame in 1997 and was awarded the Lemelson-MIT Lifetime Achievement Award in 2005.
丹纳德赢得了他的B.。和M.S.达拉斯南部卫理科医师大学的电气工程学位。他收到了他的博士学位。从卡内基工业大学（现在CMU）于1958年，并尽快加入IBM研究。他于1979年被任命为IBM同事。
“我荣幸地接受了这一奖项，并加入了其前一位收件人的行列，真正的传说和发展中的行业，”丹尼德说。“随着我的职业生涯的工作，我最为骄傲地为我在推进半导体技术方面工作的人建造的合作和关系。我衷心接受这个奖项与那些朋友，同事和导师在一起，并期待看到未来为我们的伟大行业的持有人。“
Noyce奖名为以纪念半导体行业先驱罗伯特N.Noyce，Fairchild Semiconductor和英特尔公司联合创始人。
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