来自俄勒冈州立大学和德克萨斯大学奥斯汀分校的教授因半导体研究方面的卓越成就而获奖

2017年7月18日,星期二,晚上7:52

通过半导体行业协会


2017年7月18日,华盛顿-半导体行业协会(SIA)半导体研究公司今天宣布,其2017年大学研究奖的赢家:伽柏c .技因博士俄勒冈州立大学电气和计算机工程教授(俄勒冈州立大学)博士Sanjay Banerjee教授电气和计算机工程和微电子研究中心主任德克萨斯大学奥斯汀分校(UT奥斯汀)。Drs。Temes和Banerjee将与SIA年度颁奖晚宴2017年11月14日,在加州圣何塞。

代表美国半导体制造、设计和研究领先地位的SIA总裁兼首席执行官John Neuffer说:“研究是所有创新的根源,为加强我们的工业、刺激经济增长和改善人民生活的新技术注入活力。”在他们的职业生涯中,特梅斯和班纳吉教授在科学研究方面表现卓越,领导了推进半导体技术的努力,加强了美国的技术领导地位。我们很高兴地表彰Temes博士和Banerjee博士的开创性成就。”

Neuffer还强调了政府投资基础研究的重要性,这些投资是通过国家科学基金会(NSF)和国家标准与技术研究所(NIST)等机构资助的美国能源部美国国防高级研究计划局旨在推进半导体研究。他表示,SIA准备与特朗普政府和国会合作,确保制定优先投资于基础研究的2018财年预算。

SRC总裁兼首席执行官肯•汉森表示:“大学研究奖是为了表彰大学教师在半导体研究方面的终身成就而设立的。”“Drs。Temes和Banerjee在各自的领域不断地推进最先进的半导体设计和技术。这些受人尊敬的教授对学生的影响,造就了半导体行业新的领导者和贡献者。合作大学的研究成果在下一代创新中发挥着不可或缺的作用。整个SRC团队怀着极大的赞赏和钦佩之情向Temes博士和Banerjee博士表示祝贺。”

Temes博士将因其在设计研究方面的卓越表现而获此殊荣。特别是,他在接口电子学方面的贡献将得到认可,包括模数转换器、数模转换器、开关电容器滤波器和放大器以及传感器接口。在加入俄勒冈州立大学之前,Temes博士曾在布达佩斯技术大学、斯坦福大学和加州大学洛杉矶分校担任学术职务。他还曾在Northern Electric R&D Laboratories(现Bell-Northern Research)和Ampex corp工作。Temes博士在匈牙利布达佩斯的技术大学(the Technical University)和厄特沃斯大学(Eotvos University)接受本科教育,并在加拿大渥太华大学(University of Ottawa)获得电气工程博士学位。

班纳吉博士将因在技术研究方面的卓越表现而获得该奖项。具体来说,他将在MOS和纳米结构器件建模、硅-碳异质结构器件和超浅结技术方面做出贡献。在加入德克萨斯大学奥斯汀分校的科克雷尔工程学院之前,他于1983年至1987年在德州仪器公司工作,在那里他从事多晶硅晶体管和动态随机存取沟槽存储单元的研究,该存储单元被德州仪器用于世界上第一个4mb DRAM。他在Kharagpur的印度理工学院获得了本科学位,在伊利诺伊大学香槟分校获得了硕士和博士学位,都是电气工程专业。


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